Взаимное усиление! Micron приобретает тайваньскую фабрику пластин PSMC, меняет ландшафт памяти с помощью лицензии на передовой процесс и сотрудничества в области упаковки

Время обновления: янв 23, 2026     Читательская аудитория: 67

Взаимное усиление! Micron приобретает тайваньскую фабрику пластин PSMC, меняет ландшафт памяти с помощью лицензии на передовой процесс и сотрудничества в области упаковки

Согласно последнему углубленному отчету TrendForce об индустрии DRAM, мировой гигант памяти Micron официально раскрыл план приобретения за 1,8 миллиарда долларов наличными специализированного производственного объекта PSMC в Тунло, уезд Мяоли, Тайвань (объект сделки не включает производственное оборудование и машины). Одновременно стороны достигли долгосрочного стратегического соглашения о сотрудничестве, сосредоточенного на углубленной привязке к бизнесу передовой упаковки DRAM на условиях подряда. Это межотраслевое сотрудничество не только позволит Micron быстро восполнить производственные мощности DRAM по передовым процессам, но и поможет PSMC повысить масштабы поставок и технический уровень DRAM по зрелым процессам. TrendForce четко прогнозирует, что в 2027 году глобальные прогнозы совокупного предложения индустрии DRAM претерпят существенный пересмотр в сторону увеличения.

Оглядываясь на отраслевой контекст этого приобретения, со второй половины 2025 года глобальная полупроводниковая отрасль демонстрирует структурный всплеск спроса: технологические итерации в области ASIC (специализированных интегральных схем) и масштабное внедрение сценариев AI-инференса породили сильный спрос на HBM3e (высокоскоростную память версии 3e) и DDR5 (память с удвоенной скоростью передачи данных пятого поколения) соответственно. Рост этих двух сегментов рынка напрямую привел к значительному повышению общей рентабельности индустрии DRAM, что также стало ключевым драйвером ускоренной стратегии Micron по расширению мощностей. С точки зрения деталей объекта сделки, приобретенный Micron завод в Тунло включает полный земельный участок, основные здания и объекты чистых помещений высокого стандарта, что не требует начала инфраструктурных работ с нуля и значительно сокращает цикл наращивания мощностей. Согласно плану, в период с 2026 по 2027 год Micron будет поэтапно перемещать в это здание существующее зрелое оборудование и новые производственные установки, уделяя особое внимание развертыванию ключевого оборудования для передовых процессов передней стадии производства DRAM. Ожидается, что этап массового производства официально начнется в 2027 году. По расчетам TrendForce, мощности, высвобождаемые первой фазой проекта завода Тунло во второй половине 2027 года, превысят 10% от общих глобальных мощностей Micron по DRAM в четвертом квартале 2026 года, что станет ключевым приростом для устранения дефицита спроса на высокопроизводительную память.

С точки зрения глобальной стратегии развертывания мощностей Micron, это приобретение не является изолированным шагом, а представляет собой важную часть ускоренного расширения мощностей. Данные показывают, что в третьем квартале 2025 года доля выручки Micron в глобальной индустрии DRAM достигла 25,7%, что поставило компанию на третье место в отрасли, но все же с определенным отрывом от лидеров. С момента полного подъема бума AI-индустрии в 2024 году рыночный спрос на продукты DRAM передовых процессов, такие как HBM, DDR5, LPDDR5X, продолжал стремительно расти. Чтобы захватить рыночные возможности, Micron принял двухстороннюю модель расширения мощностей: «собственное строительство + приобретение». С одной стороны, компания продолжает продвигать проекты строительства завода ID1 в США и мощностей для задней стадии упаковки HBM в Сингапуре; с другой стороны, она активно сокращает сроки создания мощностей за счет приобретения зрелых производственных объектов, предварительно последовательно приобретя два завода AUO (AU Optronics) в Тайнане, завод AUO Crystal в Тайчжуне и завод Glorytek в Тайчжуне, соответственно для пополнения мощностей на ключевых этапах, таких как тестирование пластин (Wafer Probe), металлизация (Metallization) и TSV (сквозные кремниевые переходы) для HBM. Кроме того, Micron планирует технологически преобразовать часть чистых помещений NAND Flash в Сингапуре в линии металлизации DRAM, дополнительно оптимизируя структуру мощностей.

Для PSMC это сотрудничество также имеет стратегическое значение трансформации. В настоящее